Версия для печати
Технические характеристики SGW25N120

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	46A
Power - Max	313W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SGW25N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Fast IGBT In Npt-technology Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SGW25N120 datasheet 384.78Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	ATMEL
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power			271.00
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	ПУЭРТО РИКО
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	MICRO CHIP	36	472.77
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	4-7 НЕДЕЛЬ	264
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	750.30
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц
		IRG4PH50UDPBF		IGBT 1200В 45А 75кГц	INFINEON
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	8 104	44.43
		L7809CV				416	44.40
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW	1 280	13.43
		L7809CV			YOUTAI	7 927	10.65
		L7809CV			4-7 НЕДЕЛЬ	103
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	39.04
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		406	33.12
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		508	73.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	960	144.65
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 862	84.80
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	245
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	4618

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"