Версия для печати
Технические характеристики SGW25N120

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	46A
Power - Max	313W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SGW25N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Fast IGBT In Npt-technology Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SGW25N120 datasheet 384.78Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	9 057	51.96
		L7809CV				463	44.40
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW	1 520	13.43
		L7809CV			YOUTAI	706	12.08
		L7809CV			4-7 НЕДЕЛЬ	141
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS	1 180	165.31
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс		2 304	345.95
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMicroelectronics
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST1
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRO
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMICROELECTR
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST MICROELECTRONICS	2 000	52.50
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	UTC
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ОРБИТА	8	58.59
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А		16 076	23.03
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	TSL
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	САРАНСК	383	42.00
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	КИТАЙ
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	MEV
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	STMICROELECTR
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	SEMICONDUCTORS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	4-7 НЕДЕЛЬ	197
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	471	35.91
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		763	33.12
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		924	73.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	2 365	80.73
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 286	83.58
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"