|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 178
|
165.31
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 304
|
345.95
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 960
|
52.50
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ОРБИТА
|
8
|
58.59
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
|
16 036
|
22.89
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
TSL
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
САРАНСК
|
383
|
42.00
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
MEV
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
197
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
471
|
35.91
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
763
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
|
924
|
73.60
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 349
|
80.73
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 210
|
83.58
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|