| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® 12F |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 20MHz |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 5 |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI ELECTRIC
|
4
|
284.99
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
|
|
228.48
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
|
|
29.56
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
HOTTECH
|
1 133
|
6.44
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
JSCJ
|
2 068
|
5.94
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
NXP
|
1 251
|
46.64
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
|
4 004
|
15.89
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
3
|
|
|
|
|
|
BT151-800R |
|
Тиристор SCR 800В, 7.5A, 15мА
|
903
|
|
|
|
|
|
|
KSC2335-R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KSC2335-R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KSC2335-R |
|
|
FAIRCHILD
|
8
|
78.08
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
|
|
65.60
|
|