Версия для печати
Технические характеристики MB10S-TP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Current - DC Forward (If)	500mA
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-269AA
Корпус	4-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4764A(1W100V)			DC COMPONENTS
		1N4764A(1W100V)			EIC
		1N4764A(1W100V)			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4764A(1W100V)			0.00
		BC846			PHILIPS
		BC846			NXP
		BC846			PHILIPS
		BC846				24	7.56
		BC846			JSCJ	140 501	1.15
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		335	5.52
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	673 064	1.54  >100 шт.   0.77
		RC1206JR-074R7L			YAGEO	84 808	0.93  >500 шт.   0.31
		RC1206JR-074R7L
		RC1206JR-0768KL			YAGEO	142 738	0.66  >500 шт.   0.22
		RC1206JR-0768KL			YAGEO
		RC1206JR-0768KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"