| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
53 226
|
1.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 584
|
2.10
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
430
|
3.03
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
50 436
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.10
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
8 153
|
1.78
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
188 863
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
20
|
1.62
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
75 168
|
2.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
52 954
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
54 233
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
153 050
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
57
|
2.32
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
39 600
|
1.04
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
202 622.02
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
202 924.44
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
|
3
|
45.36
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
UTC
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
PHILIPS
|
64
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
FSC
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC4051D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
667
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
25 679
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
965 987
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
DC COMPONENTS
|
42 217
|
1.22
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
304
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
1 894
|
1.06
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KEEN SIDE
|
10
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
11 089
|
13.43
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
|
|
15.00
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
161
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
2845
|
4
|
203 327.67
|
|