|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
|
24
|
7.56
|
|
|
|
BC846 |
|
|
JSCJ
|
124 347
|
1.16
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
655 654
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.26
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
4 260
|
19.89
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
33 507
|
3.10
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
|
23 460
|
4.75
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
КИТАЙ
|
80
|
15.12
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MIC
|
11 165
|
5.35
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
35
|
8.81
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE
|
32 800
|
7.32
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
TRR
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RUME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ASEMI
|
12 768
|
6.26
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
28.35
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
879
|
24.57
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
4 410
|
2.98
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
777
|
|
|