| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
5.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
278 414
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
56 845
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
48 151
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
744 839
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
137 422
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 897 078
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
616 229
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
159 564
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
300 000
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
499
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
10 784
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
183 068
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
331 329
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
NXP
|
6 544
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
BC856 |
|
Транзистор S-P 65В 0.1A SOT23
|
JSCJ
|
63 987
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
315
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
515
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
|
32 881
|
3.97
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
HOTTECH
|
81 036
|
3.54
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SLKOR
|
5 893
|
4.38
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
YJ
|
168 599
|
2.87
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JSCJ
|
720
|
3.90
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
1
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
TRR
|
30 400
|
3.16
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JY
|
3 306
|
3.57
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ZH
|
6 080
|
4.85
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
336
|
4.71
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
KEEN SIDE
|
10 514
|
3.35
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
20
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
4000
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
|
10 488
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
DIOTEC
|
42 171
|
2.77
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
6 104
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
OTHER
|
3 066
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
1 166
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YJ
|
110 716
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HOTTECH
|
8 800
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
CJ
|
10 400
|
6.20
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
JSMICRO
|
22 803
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HXY
|
987
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
7 320
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
2900
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RUME
|
16 000
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
TRR
|
36 000
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
DIOTEC
|
56
|
2.08
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
2 683
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
|
45 600
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YJ
|
94 282
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HOTTECH
|
24 616
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KLS
|
16
|
1.25
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YOUTAI
|
673
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSCJ
|
1 373
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HXY
|
1 587
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSMICRO
|
55 359
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
XXW
|
14 080
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KEEN SIDE
|
6 232
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
15850
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
RUME
|
126 320
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|