![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 266pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HJR-3FF-12VDC-S-Z | TIANBO | 7 878 | 42.85 | |||||
HJR-3FF-12VDC-S-Z |
![]() |
![]() |
||||||
LM224ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM224ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM224ADR |
![]() |
![]() |
||||||
LM224ADR | TEXAS |
![]() |
![]() |
|||||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
![]() |
![]() |
|||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
![]() |
25.88 | ||||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 43 323 | 5.32 | |||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
![]() |
![]() |
|||
PHU-02 PITCH 3.96 MM+TERMINAL | RUICHI | 2 776 | 3.17 | |||||
PWL-02 PITCH 3.96 MM | 41 096 | 1.95 |
|
Корзина
|