Версия для печати
Технические характеристики L78L33ABZ-AP

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Ток выходной	100mA
Число регуляторов	1
Напряжение - падение (Typ.)	1.7V @ 40mA
Напряжение входное	Up to 30V
Напряжение выходное	3.3V
Топология регулятора	Positive Fixed
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W 100K		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт		2 080	12.16
		3296W 100K		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт	RUICHI	52	19.71
		ATMEGA8A-AU TQFP32		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL
		RLB0914-101KL		Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	BOURNS	4	27.59
		RLB0914-101KL		Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm			70.00
		RLB0914-101KL		Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	Bourns Inc
		RLB0914-151KL					32.00
		RLB0914-151KL			BOURNS
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		1 196	13.62
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	799	13.23
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	1 940	16.80
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	1 014	15.75
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	1	4.11

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"