L78L33ABZ-AP


Купить L78L33ABZ-AP по цене 37.52 руб.  (без НДС 20%)
L78L33ABZ-AP
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
L78L33ABZ-AP (ST MICROELECTRONICS) 3 37.52 
L78L33ABZ-AP (ST MICROELECTRONICS SEMI.) 1 103 3-4 недели
Цена по запросу
L78L33ABZ-AP (4-7 НЕДЕЛЬ) 723 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики L78L33ABZ-AP

КорпусTO-92-3
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Тип монтажаВыводной
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Ток выходной100mA
Число регуляторов1
Напряжение - падение (Typ.)1.7V @ 40mA
Напряжение входноеUp to 30V
Напряжение выходное3.3V
Топология регулятораPositive Fixed
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
3296W 100K Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт     440 12.49 
3296W 100K Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт   RUICHI Заказ радиодеталей цена радиодетали
ATMEGA8A-AU TQFP32 8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...   ATMEL Заказ радиодеталей цена радиодетали
RLB0914-101KL Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm   BOURNS 3 176 34.26 
RLB0914-101KL Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm     Заказ радиодеталей 70.00 
RLB0914-101KL Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RLB0914-151KL       Заказ радиодеталей 32.00 
    RLB0914-151KL     BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный     427 11.78 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   КРЕМНИЙ 880 17.18 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   БРЯНСК 171 14.32 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   МИНСК 3 112 14.32 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ВОРОНЕЖ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ТРАНЗИСТОР 3 7.85 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   115 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   1872 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   420 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   558 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   6 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   4 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход