| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
                                                    
                                | Transistor Type | NPN | 
                                                    
                                | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | 
                                                    
                                | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V | 
                                                    
                                | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 
                                                    
                                | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | 
                                                    
                                | Power - Max | 225mW | 
                                                    
                                | Frequency - Transition | 100MHz | 
                                                    
                                | Тип монтажа | Поверхностный | 
                                                    
                                | Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
                                                    
                                | Корпус | SOT-23-3 | 
                                                    
                                | Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 | 
                        
                    
                              
                
                
							
								|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | AVX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | AVX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | AVX Corporation |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |  |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | KYOCERA-AVX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | KYOCERA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 08053C104KAT2A |   | Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | KYOCERA AVX | 62 | 14.46 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2SA1300 |   | Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz | TOSHIBA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2SA1300 |   | Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz | DC COMPONENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2SA1300 |   | Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz | TOS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2SA1300 |   | Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz |  |   | 10.48 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2SA1300 |   | Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz | МАЛАЙЗИЯ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  | ATMEL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  |  | 885 | 399.45 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  | ANALOG DEVICES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  | ATMEL CORPORATION |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  | MICRO CHIP | 568 | 412.50 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | ATMEGA32A-PU |   |  | 4-7 НЕДЕЛЬ | 616 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | NXP | 2 664 | 2.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | GENERAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | DC COMPONENTS | 21 335 | 1.56 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | DIOTEC | 18 155 | 3.76 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | ES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | GENERAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | PHILIPS | 486 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | STMicroelectronics |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | PHILIPS SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | ON SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | HOTTECH | 333 329 | 1.64 >100 шт.   0.82
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... |  | 17 285 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | KOME | 1 | 1.61 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | SUNTAN | 6 096 | 1.64 >100 шт.   0.82
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | NEX-NXP | 112 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | YJ | 111 468 | 1.03 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | TRR | 62 400 | 1.29 >500 шт.   0.43
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | XXW | 165 051 | 1.34 >100 шт.   0.67
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | CTK | 160 | 1.46 >100 шт.   0.73
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | KEEN SIDE | 600 | 1.23 >500 шт.   0.41
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | MERRYELC | 246 080 | 1.08 >100 шт.   0.54
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B |   | Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ... | YANGJIE | 1 900 | 1.23 >500 шт.   0.41
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | KX-49 14.7456 MHZ |  |  | GEYER ELECTRONIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | KX-49 14.7456 MHZ |  |  |  |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | KX-49 14.7456 MHZ |  |  | GEYER |   |   |  |