|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
34
|
14.46
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
48 963
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
455 769
|
1.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
77 412
|
3.06
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
200 187
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
188 205
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
22 451
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
135 112
|
1.23
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
52 000
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 330
|
1.36
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
800
|
1.58
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
14 461
|
1.09
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
65 408
|
1.97
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
23 624
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
93
|
1.57
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1 031
|
1.13
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
11 796
|
34.96
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 363
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
190
|
76.80
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
16
|
33.12
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
216
|
165.31
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 572
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 450
|
7.93
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 600
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
96
|
6.30
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 417
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
9.08
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
96
|
956.34
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
16
|
552.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
180
|
1 312.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|