Версия для печати

Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ КТ829А datasheet 123,53kB 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD647				12
		BD647				12
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS	8 069	16.78
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	40.32
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	548	11.47
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	GSME	40	10.72
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	XXW	568	10.13
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAI/QTC
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRONICS
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FSC
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIR
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIRCHILD
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIRCHILD
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	STMICROELECTRONICS
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ON Semiconductor
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	МАРОККО
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FSC1
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ФРЯЗИНО
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...		800	23.91
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRO
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	STMICROELECTR
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	0.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	32 928	2.29
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	399 792	2.57
		1N4007			DIOTEC	61 836	3.21
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	90 813	2.72
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				5 989	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	22	1.71
		1N4007			HOTTECH	58 304	1.22  >100 шт.   0.61
		1N4007			KLS
		1N4007			YS	2 311	1.21
		1N4007			YANGJIE	44 896	1.56
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD	616	1.21
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	11 624	1.32
		1N4007			TWGMC	76 105	1.17
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING
		1N4007			ASEMI
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	258 079	1.24  >100 шт.   0.62
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	361 903	1.38  >100 шт.   0.69
		1N4007			71682
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		45 796	36.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	612	55.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	350	112.52
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК	54	55.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	1527
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.00
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН	776	289.30
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		739	8.10
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 012	12.49
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК	5 512	12.46
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	17 864	12.46
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	1 976	5.58
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	16883
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	7000
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	7364
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	2671
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	208	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		35	595.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	124	1 292.70
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"