|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 224
|
19.83
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
|
|
48.44
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
|
562
|
60.72
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМНИЙ
|
7 552
|
57.93
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
БРЯНСК
|
2 496
|
73.50
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 036
|
58.08
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
|
|
30.32
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
HS077-40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
|
|
104.12
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
153
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
|
|
144.00
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS
|
332
|
139.17
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
SPTECH
|
788
|
32.74
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
JSMICRO
|
160
|
43.28
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
17 727
|
13.43
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
7 012
|
9.97
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
1 721
|
19.89
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|