| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
|
|
48.44
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
|
323
|
60.72
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМНИЙ
|
387
|
48.17
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
БРЯНСК
|
2 247
|
73.50
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
11
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
2798
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
|
|
177.92
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS
|
204
|
36.29
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
|
|
30.32
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
69
|
199.50
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
|
|
163.60
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
295
|
|
|
|
|
IR4426 |
|
Драйвер полумостовой IO+/- 1.5A , 1.5A, VOUT 6В…20В, ton/off (тип.) 85/65 нс
|
87
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
28.35
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
FAIRCHILD
|
4
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
MOTOROLA
|
10
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
22
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
|
4
|
19.00
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
HGSEMI
|
1 279
|
8.02
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
585
|
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
177.66
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
|
|
65.76
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ISC
|
395
|
33.78
|
|