|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 452
|
17.18
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
|
|
48.44
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
|
552
|
60.72
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМНИЙ
|
5 813
|
57.93
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
БРЯНСК
|
2 409
|
73.50
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
333 918
|
1.09
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
91 640
|
4.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
50 354
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
140 364
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
446 129
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
19 200
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
119 024
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
169 304
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
15 173
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
17 280
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
32.768 КГЦ 12.5PF |
|
|
|
|
|
|
|
|
32.768 КГЦ 12.5PF |
|
|
TAIZHOU
|
|
|
|
|
|
32.768 КГЦ 12.5PF |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
OPTEK
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
Q TECH
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
VISHAY
|
160
|
46.17
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
Q TECH INC.
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
|
6
|
42.84
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
|
|
|
|
|
|
4N28 |
|
Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
637
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS
|
940
|
59.31
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
|
|
30.32
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
|
|
56.36
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ISO
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ISOCOM
|
|
|
|