Версия для печати
Технические характеристики BD681

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD681 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD681 datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	2 224	19.77
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ		562	60.72
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМНИЙ	7 552	57.93
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	БРЯНСК	2 496	73.50
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	УЛЬЯНОВСК
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ФРЯЗИНО
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	RUS
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬТАВ
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМН
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬДАГ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		9A472J			КИТАЙ
		9A472J			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		9A472J			CEIEC
		A6RV-161RF					1 000.00
		A6RV-161RF			OMRON
		A6RV-161RF			Omron Electronics Inc-EMC Div
		A6RV-161RF			OMRON
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	800	6.80
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	11 209	2.15
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD	1 511
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 245
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP	9 632
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	3 040
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)		16 266	1.96  >100 шт.   0.98
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MICRO COMMERCIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	198 347	1.82  >100 шт.   0.91
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHI
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEX-NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PANJIT	32 000
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KLS	40	1.47
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YOUTAI	5 660	1.23
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	49 202	1.03
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YJ	409 294	1.09
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGJIE	24 000	1.13
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MIC	38 400	1.03
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NSP	5 273	2.10
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FAI/QTC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS	1 036	58.08
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FSC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)			30.32
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR	44
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	STMicroelectronics
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	КИТАЙ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ФИЛИППИНЫ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRO
		П309				147	462.50
		П309			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		П309			ВОРОНЕЖ	4	252.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"