|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
728
|
58.37
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
12 206
|
20.11
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
|
432
|
7.36
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
8 761
|
2.89
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
4 008
|
3.07
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
14 449
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
|
|
154.80
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
ONS
|
420
|
116.67
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
|
|
120.00
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
4
|
128.52
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
1 643
|
34.12
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7379 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
725
|
|
|