| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
13
|
13.43
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
GSME
|
144
|
9.82
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
3 905
|
56.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 221
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
190
|
77.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4 604
|
42.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
45.29
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
1
|
42.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
1 150
|
17.75
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
1
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HGSEMI
|
2 949
|
13.20
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
628
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
5305
|
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
1 336
|
35.15
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
ПРОТОН
|
234
|
113.65
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 482
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
1 054
|
11.71
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 600
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 397
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
8.74
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
16883
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7000
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7364
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
|
306 670
|
3.70
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НИИПП ТОМСК
|
1 920
|
37.20
|
|