| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 077
|
18.02
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
13
|
12.40
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
GSME
|
164
|
9.15
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
XXW
|
552
|
8.63
|
|
|
|
HCPL-7840 |
|
Гальванически-развязанный усилитель
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-7840 |
|
Гальванически-развязанный усилитель
|
|
|
744.00
|
|
|
|
HCPL-7840 |
|
Гальванически-развязанный усилитель
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HCPL-7840 |
|
Гальванически-развязанный усилитель
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
|
|
127.20
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NSC
|
52
|
160.06
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NS
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
|
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-0.1МКФ 250 (10%) |
|
|
|
|
|
|