FQP12N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP12N60C		407.52

Версия для печати

Технические характеристики FQP12N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 25V
Power - Max	225W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP12N60C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP12N60C datasheet
874.79Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2690	Биполярный транзистор	NEC
2SC2690	Биполярный транзистор			128.72
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	FAIRCHILD
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	FAIR
FQP6N60C	600v n-channel mosfet
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	ONS-FAIR
FQP6N60C	600v n-channel mosfet	ONS
IRFZ34		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ34				188.80
IRFZ34		INTERNATIONAL RECTIFIER	2
IRFZ34		Vishay/Siliconix
IRFZ34				188.80
IRFZ34		VISHAY
Д 815Д	Стабилитроны кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, для стабилизации ...
КС512 (МЕТАЛЛ)