![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | SuperMESH™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 8.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 119nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Power - Max | 190W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
STW20NK50Z (MOSFET) N-CHANNEL 500V -0.23?- 17A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
BYG20J-E3/TR |
![]() |
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY | 1 280 | 18.80 | |
![]() |
![]() |
BYG20J-E3/TR |
![]() |
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | Vishay/General Semiconductor |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BYG20J-E3/TR |
![]() |
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BYG20J-E3/TR |
![]() |
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 440 | 10.07 | ||
E-L4981A | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
E-L4981A | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
E-L4981A |
![]() |
![]() |
||||||
E-L4981A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 488 |
![]() |
|||||
ECAP 2200/35V 1625 SK |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35 В | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||
PCF8591T | NXP |
![]() |
![]() |
|||||
PCF8591T | PHILIPS |
![]() |
![]() |
|||||
PCF8591T |
![]() |
![]() |
||||||
PCF8591T | NXP | 20 |
![]() |
|||||
PCF8591T | PHILIPS | 25 |
![]() |
|||||
PCF8591T |
![]() |
![]() |
||||||
PCF8591T | ТАИЛАНД |
![]() |
![]() |
|||||
PCF8591T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 52 |
![]() |
|||||
ДМ-2,4-5 МКГН-10% |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|