STW20NK50Z
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 119nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STW20NK50Z (MOSFET) N-CHANNEL 500V -0.23?- 17A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 440 | 10.07 | ||
| E-L4981A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| E-L4981A | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| E-L4981A |
|
|
||||||
| E-L4981A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 488 |
|
|||||
| ECAP 2200/35V 1625 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| PCF8591T | NXP |
|
|
|||||
| PCF8591T | PHILIPS |
|
|
|||||
| PCF8591T |
|
|
||||||
| PCF8591T | NXP | 20 |
|
|||||
| PCF8591T | PHILIPS | 25 |
|
|||||
| PCF8591T |
|
|
||||||
| PCF8591T | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| PCF8591T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 52 |
|
|||||
| ДМ-2,4-5 МКГН-10% |
|
|
