STW20NK50Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW20NK50Z (ST MICROELECTRONICS)	8	347.46
STW20NK50Z		319.48

Версия для печати

Технические характеристики STW20NK50Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	119nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2600pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW20NK50Z (MOSFET)

N-CHANNEL 500V -0.23?- 17A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW20NK50Z datasheet
379 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 2200/50V 1635 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С	JAMICON
ECAP 2200/50V 1635 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С	JAM
ECAP 2200/50V 1635 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С			128.08
ECAP 2200/50V 1635 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С	JB
IR1150S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR1150S				220.32
IR1150S		МАЛАЙЗИЯ
IR1150S		4-7 НЕДЕЛЬ	155
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON	3	313.32
IRFZ46	Hexfet® power mosfet	VISHAY
IRFZ46	Hexfet® power mosfet
ДИНАМИК 0.25ВТ 50 ОМ D50ММ		KEPO
ДИНАМИК 0.25ВТ 50 ОМ D50ММ				75.52