| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
|
8
|
900.89
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
1 144
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
INTEL
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
12
|
22.68
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
4
|
6.94
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VISHAY
|
4
|
13.14
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
2 700
|
2.42
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
JSMICRO
|
42 197
|
1.86
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
YOUTAI
|
61 273
|
2.28
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
799
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
|
1 264
|
41.08
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NSC
|
8
|
238.14
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
188
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
YOUTAI
|
744
|
42.29
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
UMW
|
296
|
58.89
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
FULIHAO TECH
|
52
|
51.66
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
389
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
|
|
404.00
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
248
|
|
|