| Корпус | 8-MSOP |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 12 V, ±1.35 V ~ 6 V |
| Ток выходной / канал | 125mA |
| Ток выходной | 2.9mA |
| Напряжение входного смещения | 600µV |
| Ток - входного смещения | 2.2µA |
| Полоса пропускания -3Дб | 105MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 375 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | Voltage Feedback |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Rail-to-Rail |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADA4851-1YRJZ-RL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-1YRJZ-RL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-1YRJZ-RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-1YRJZ-RL |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-1YRJZ-RL |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
208
|
|
|
 |
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
|
8
|
900.89
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALT
|
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
1 144
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
INTEL
|
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
12
|
22.68
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
2 700
|
2.37
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
JSMICRO
|
50 604
|
1.64
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
YOUTAI
|
61 381
|
2.31
|
|
|
|
 |
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-ADJ |
|
Микросхема LDO adjustable 1.25-13.8V 800
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
799
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
|
1 264
|
41.08
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NSC
|
8
|
238.14
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
188
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
YOUTAI
|
891
|
25.30
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
UMW
|
336
|
56.83
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
FULIHAO TECH
|
52
|
49.59
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
389
|
|
|
Версия для печати
