![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Тип усилителя | General Purpose |
Число каналов | 2 |
Тип выхода | Rail-to-Rail |
Скорость нарастания выходного напряжения | 1.1 V/µs |
Полоса пропускания | 1.4MHz |
Ток - входного смещения | 0.002pA |
Напряжение входного смещения | 1000µV |
Ток выходной | 750µA |
Ток выходной / канал | 40mA |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.75 V ~ 15.5 V, ±2.38 V ~ 7.75 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOIC |
Output Type | Rail-to-Rail |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
590КН7 |
![]() |
(1990-92г) |
![]() |
2 640.00 | ||||
590КН7 |
![]() |
(1990-92г) | СВЕТЛАНА |
![]() |
![]() |
|||
590КН7 |
![]() |
(1990-92г) | СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ |
![]() |
![]() |
|||
590КН7 |
![]() |
(1990-92г) | RUS |
![]() |
![]() |
|||
590КН7 |
![]() |
(1990-92г) | 1 |
![]() |
![]() |
|||
LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LM293DR2G | ONS | 3 956 | 11.40 | |||||
LM293DR2G |
![]() |
13.20 | ||||||
LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS | 600 | 19.17 | |||||
LM317LCDR |
![]() |
![]() |
||||||
LM317LCDR |
![]() |
![]() |
||||||
LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 93 |
![]() |
|||||
MMBZ15VALT1G | NXP |
![]() |
![]() |
|||||
MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor |
![]() |
![]() |
|||||
MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
![]() |
|||||
MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
MMBZ15VALT1G | ONS | 28 308 | 3.63 | |||||
MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 7 990 | 2.24 | |||||
ФРМ-2 КРАСНЫЕ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|