| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
|
|
18.80
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LGE
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LUGUANG
|
4
|
10.31
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMCMICRO
|
11 128
|
6.29
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SUNMATE
|
21 776
|
2.14
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMC DIODE SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
VISHAY
|
12 840
|
10.61
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
|
|
129.48
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
80 396
|
2.72
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
42 488
|
6.14
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.57
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
7 700
|
7.69
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
1 545
|
2.82
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
1 726
|
3.23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
2 400
|
2.48
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNCO
|
1 075
|
5.77
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
4469
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
|
|
140.00
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LITTELFUSE
|
1
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
TECH PUB
|
4 497
|
8.56
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
MSKSEMI
|
6 721
|
5.84
|
|