Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Напряжение питания | 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V |
Тип выхода | CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL |
Число элементов | 1 |
Тип | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Output Type | CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DIOTEC
|
8 410
|
2.34
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE ELECTRONICS, INC
|
56
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
|
22 475
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
266
|
7.18
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
8.69
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
58.59
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
384
|
86.68
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
|
|
43.12
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
7
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
|
35 352
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
UTC
|
11 894
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIOTEC
|
592
|
1.06
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
9 780
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
7 462
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
9 897
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY ME
|
3 120
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
RECTRON
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
INFINEON
|
17
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
HOTTECH
|
75 238
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YJ
|
547 180
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
JSCJ
|
23 636
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 621
|
37.80
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 875
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
6 464
|
37.80
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|