Версия для печати
Технические характеристики 2SK2632

Корпус	TO-220FI(LS)
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 20V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.3A, 15V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SK2632LS (Полевые МОП транзисторы) Производитель: Sanyo Semicon Device //www.semiconductor-sanyo.com 2SK2632 datasheet 52.29Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		15 352	1.66  >100 шт.   0.83
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	12.49
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	12.49
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEEN SIDE	103	1.46  >100 шт.   0.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MERRYELC	1 680	1.88  >100 шт.   0.94
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	65.59
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIR
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	NXP
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	PHILIPS
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIODES
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт		34 136	1.47  >500 шт.   0.49
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	UTC	11 374	1.62  >100 шт.   0.81
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIOTEC	592	1.05
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIRCHILD
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIODES INC.
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIRCHILD	9 780
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	NXP	7 462
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	PHILIPS	9 897
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	Fairchild Semiconductor
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	STMicroelectronics
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	GALAXY
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	КИТАЙ
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KINGTRON
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	ONS
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	GALAXY ME
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	RECTRON	52
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	INFINEON	17
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	HOTTECH	48 547	0.96  >500 шт.   0.32
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YJ	509 861	0.93  >500 шт.   0.31
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	1
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	JSCJ	17 669	1.41  >500 шт.   0.47
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YANGZHOU YANGJIE
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KEEN SIDE	10 253	1.08  >500 шт.   0.36
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YANGJIE	6 784	1.14  >500 шт.   0.38
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	7234	80	1.26  >500 шт.   0.42
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 709	38.16
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 539	30.36
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	5 195	38.16
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ	1	73.82
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"