Версия для печати
Технические характеристики TLV3502AID

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	General Purpose
Число элементов	2
Тип выхода	CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC
Output Type	CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2632		Транзистор полевой N-MOS 800V, 2.5A, 25W	SANYO
		2SK2632		Транзистор полевой N-MOS 800V, 2.5A, 25W	SAN
		2SK2632		Транзистор полевой N-MOS 800V, 2.5A, 25W			98.92
		2SK2632		Транзистор полевой N-MOS 800V, 2.5A, 25W	ФИЛИППИНЫ
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	34.36
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		1	44.04
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	392	15.50
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	1 373	12.26
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
		TLV3501AID			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV3501AID
		TLV3501AID			TEXAS
		TLV3501AID			4-7 НЕДЕЛЬ	523
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 709	38.16
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 539	30.36
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	5 195	38.16
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ	1	73.82
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"