Версия для печати
Технические характеристики 2SK2632

Корпус	TO-220FI(LS)
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 20V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.3A, 15V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SK2632LS (Полевые МОП транзисторы) Производитель: Sanyo Semicon Device //www.semiconductor-sanyo.com 2SK2632 datasheet 52.29Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	60.48
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	32.13
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...			21.28
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	632	16.53
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	1 612	12.73
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
		TLV3502AID					988.00
		TLV3502AID			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV3502AID			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV3502AID			TEXAS
		TLV3502AID			4-7 НЕДЕЛЬ	668
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	9 462	37.80
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 795	30.36
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	5 656	37.80
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ	1	58.49
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"