Версия для печати
Технические характеристики TLV3502AID

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	General Purpose
Число элементов	2
Тип выхода	CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC
Output Type	CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	65.59
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIR
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	NXP
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	PHILIPS
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIODES
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт		33 736	1.20  >500 шт.   0.40
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	UTC	11 366	1.72  >100 шт.   0.86
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIOTEC	592	1.84  >100 шт.   0.92
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIRCHILD
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	DIODES INC.
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	FAIRCHILD	9 780
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	NXP	7 462
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	PHILIPS	9 897
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	Fairchild Semiconductor
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	STMicroelectronics
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	GALAXY
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	КИТАЙ
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KINGTRON
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	ONS
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	GALAXY ME
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	RECTRON	52
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	INFINEON	17
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	HOTTECH	44 580	1.38  >100 шт.   0.69
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YJ	476 598	1.14  >500 шт.   0.38
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	1
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	JSCJ	17 181	1.38  >500 шт.   0.46
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YANGZHOU YANGJIE
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	KEEN SIDE	10 013	1.08  >500 шт.   0.36
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	YANGJIE	6 544	1.08  >500 шт.   0.36
		MMBT3906		Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт	7234
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	34.36
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		1	44.93
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	232	14.46
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	2 071	19.53
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 207	32.22
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 259	22.08
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	4 867	32.22
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"