1N914BWT
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-79, SOD-523F |
| Корпус | SOD-523F |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1% 1K18 |
|
|
||||||
| CC0603JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В | YAGEO | 1 131 251 |
0.70 >1000 шт. 0.14 |
|||
| CC0603JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В |
|
|
||||
 |
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | NUMONYX |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 7 607 | 111.00 | |||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | MICRON |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ФИЛИППИНЫ |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 4-7 НЕДЕЛЬ | 104 |
|
||
 |
|
NR4018T6R8M |
|
Taiyo Yuden |
|
|
||
|
|
|
NR4018T6R8M |
|
|
|
|||
| STM32L151C8T6A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32L151C8T6A | 1 214 | 241.00 | ||||||
| STM32L151C8T6A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 276 |
|
