Версия для печати
Технические характеристики 293D476X9010B2TE3

Номинальное напряжение	10 В
Емкость	47 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	3528-21
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.800 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	ATMEL
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	ANALOG DEVICES
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B		148	221.65
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	США
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	ATMEL1
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	MICRO CHIP	496	258.30
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	NO NAME
		ATMEGA32A-AU		Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B	4-7 НЕДЕЛЬ	724
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	2 892	1.70
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		83 184	1.07
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	325	1.99
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	1 485	2.20
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	1 566	1.30  >100 шт.   0.65
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	11	2.58
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	1.31
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	67 395	1.14
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	74 356	1.17
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	XXW	15 004	1.54  >100 шт.   0.77
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	CJ	8 000	1.26  >100 шт.   0.63
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KEEN SIDE	64	1.94  >100 шт.   0.97
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	MERRYELC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HXY
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	3615
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	10000
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	1500
		BC846ALT1G			ON SEMICONDUCTOR
		BC846ALT1G			ONS	16 633	1.70
		BC846ALT1G			ON SEMICONDUCTOR
		BC846ALT1G			ON SEMICONDUCTO
		BC846ALT1G
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V		39 609	1.38  >100 шт.   0.69
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NXP
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	LGE
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	КИТАЙ
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	EIC
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	HOTTECH	5 946	1.14  >100 шт.   0.57
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	SEMTECH	13	1.36  >100 шт.   0.68
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KLS	4	1.38  >100 шт.   0.69
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	YANGJIE (YJ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	1
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KUU	21 544	1.70  >100 шт.   0.85
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	DC COMPONENTS
		IT-1187-160GM-G			SWITRONIC	9 600	21.70
		IT-1187-160GM-G					24.80
		IT-1187-160GM-G			SWITR	66 941	12.66
		IT-1187-160GM-G			0.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"