| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
|
60
|
203.05
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
MICRO CHIP
|
784
|
223.27
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
85 584
|
1.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
2.18
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 896
|
2.35
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
3 957
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.44
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
16 049
|
1.21
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
13 774
|
2.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
23 216
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.03
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
68
|
1.11
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ONS
|
19 055
|
2.03
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
|
39 609
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
HOTTECH
|
20 166
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
SEMTECH
|
13
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
KLS
|
4
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
KUU
|
5 832
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
SWITRONIC
|
|
|
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
|
|
24.80
|
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
SWITR
|
6 400
|
12.64
|
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
0.00
|
|
|
|