|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
|
6
|
370.00
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
MICRO CHIP
|
2 940
|
269.71
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
91 984
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.75
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
17 941
|
2.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
94 436
|
1.39
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
118 631
|
1.54
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
182 184
|
1.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
67 200
|
1.18
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ONS
|
21 773
|
4.36
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BC846ALT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
SWITRONIC
|
10 248
|
15.83
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
|
|
24.80
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
SWITR
|
11 685
|
12.69
|
|
|
|
IT-1187-160GM-G |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
STM32L151C8T6A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 016
|
332.36
|
|
|
|
STM32L151C8T6A |
|
|
|
106
|
275.80
|
|
|
|
STM32L151C8T6A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
276
|
|
|