BSS123A

Версия для печати

Технические характеристики BSS123A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	25pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS123A (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS123A datasheet
45.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISHAY	36 180	17.56
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	SPRAGUE
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В			30.80
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	SPRAGUE
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISHAY
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	Vishay/Sprague
293D476X9010B2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В	VISНAY
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ONS
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTO
BC846ALT1G
IRLM6402
RT9013-33GB		Richtek USA Inc
RT9013-33GB
RT9013-33GB		4-7 НЕДЕЛЬ	600
RT9013-33GB		TECH PUB	1	4.48
T491A225K006AT		KEMET
T491A225K006AT		МЕКСИКА
T491A225K006AT