BSS123A

Версия для печати

Технические характеристики BSS123A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	25pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS123A (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS123A datasheet
45.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 1% 30K1
0603 1% 30K1		TWN
0603 1% 30K1		TY	10 480	1.00 >1000 шт. 0.20
0603 1% 30K1		13100
AD7450ARMZ		ANALOG DEVICES
AD7450ARMZ
AD7450ARMZ		4-7 НЕДЕЛЬ	356
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG DEVICES
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8			800.00
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG DEVICES
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	Analog Devices Inc
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	4-7 НЕДЕЛЬ	512
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ONS	11 064	4.18
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTO
BC846ALT1G
T491A225K006AT		KEMET
T491A225K006AT		МЕКСИКА
T491A225K006AT