BSS123A
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSS123A (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.063ВТ 0603 20 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| ABS10RE | TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
|||||
| ABS10RE |
|
|
||||||
| ABS10RE | 4-7 НЕДЕЛЬ | 767 |
|
|||||
 |
BQ24072TRGTT |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
BQ24072TRGTT |
|
|
|
||||
|
|
BQ24072TRGTT |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
BQ24072TRGTT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 258 |
|
|||
| TPS79933DDCR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS79933DDCR |
|
62.40 | ||||||
| TPS79933DDCR | TEXAS INSTRUMENTS | 229 |
|
|||||
| TPS79933DDCR | TEXAS | 658 | 56.05 | |||||
| TPS79933DDCR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 670 |
|
|||||
 |
|
TSX-3225 16.0000MF09Z-AC3 |
|
Epson Toyocom Corporation |
|
|
||
|
|
|
TSX-3225 16.0000MF09Z-AC3 |
|
|
|
|||
|
|
|
TSX-3225 16.0000MF09Z-AC3 |
|
EPSON |
|
|
