BSS123A
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSS123A (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1% 1K18 |
|
|
||||||
| CC0603JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В | YAGEO | 537 306 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||
| CC0603JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В |
|
|
||||
 |
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | NUMONYX |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 7 783 | 111.00 | |||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | MICRON |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | ФИЛИППИНЫ |
|
|
||
|
|
M25PE80-VMW6G |
|
Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage | 4-7 НЕДЕЛЬ | 152 |
|
||
 |
|
NR4018T6R8M |
|
Taiyo Yuden |
|
|
||
|
|
|
NR4018T6R8M |
|
|
|
|||
| STM32L151C8T6A | ST MICROELECTRONICS | 251 | 339.62 | |||||
| STM32L151C8T6A | 466 | 262.40 | ||||||
| STM32L151C8T6A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 244 |
|
