Версия для печати
Технические характеристики STP11NK50ZFP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1390pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

STP11NK50ZFP (MOSFET) N-channel 500 V, 0.48 ? , 10 A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP11NK50ZFP datasheet 413.8 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAR63-05WE6327			INFINEON
		BAR63-05WE6327
		BAR63-05WE6327			INFINEON TECHNOLOGIES
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	FAIR
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	FSC
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet
		FQPF13N50		500v n-channel mosfet	FSC1
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...			520.00
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	STMicroelectronics
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	4-7 НЕДЕЛЬ	721
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 560	35.09
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		СКОТЧ2-Х СТОРОННИЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"