IRF7341PBF
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BAT721A,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
|
|||
| IRFR3411PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFR3411PBF | INFINEON |
|
|
|||||
| IRFR3411PBF |
|
|
||||||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAXIM |
|
|
||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAX |
|
|
||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 |
|
110.12 | |||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 576 |
|
||
| SH016M1500B5S-1019 (16V 1500UF/1019/105°) |
|
19.00 | ||||||
| К1986ВЕ92QI | МИЛАНДР |
|
|
|||||
| К1986ВЕ92QI |
|
|
