|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
20 860
|
75.60
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
|
1 042
|
151.20
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
YOUTAI
|
540
|
18.44
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
324
|
|
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
NEX
|
195
|
6.10
|
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7,215 |
|
|
NEX
|
30 371
|
2.90
|
|
|
|
BZX84-C4V7,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
296
|
67.20
|
|
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
|
3 880
|
22.48
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
SLKOR
|
14 660
|
18.72
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
JSMICRO
|
1 490
|
23.07
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
EVVO
|
4 354
|
22.40
|
|