|
Версия для печати
| Power - Max | 130W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 32A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BAT721A,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BAT721A,215 |
|
|
|
|||
| EC4020H12BA40X202BALL | EVERCOOL |
|
|
|||||
| EC4020H12BA40X202BALL | 0.00 |
|
|
|||||
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 289 | 37.80 | ||
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A |
|
|
|||
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A | INFINEON TECHNOLOGIES |
|
|
||
|
|
IRF7341PBF |
|
Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A | INFINEON |
|
|
||
| W25Q16BVSIG |
|
|
||||||
| W25Q16BVSIG |
|
|
||||||
| W25Q16BVSIG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 767 |
|
|||||
| Г1,6Ч |
|
|
||||||
| Г1,6Ч | КОМ |
|
|
|||||
| Г1,6Ч | ЗВЕЗДА |
|
|
|||||
| Г1,6Ч | КОМ11 |
|
|
|||||
| Г1,6Ч | АО "ЗАВОД "ЗВЕЗДА" |
|
|