IRFR3411PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3411PBF

Power - Max	130W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	71nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 16A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT721A,215		NXP Semiconductors
BAT721A,215		NXP
BAT721A,215		NEX	195	6.03
BAT721A,215
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	296	67.20
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON
SN65HVD230DR		TEXAS INSTRUMENTS	1	72.98
SN65HVD230DR			6 616	40.53
SN65HVD230DR		TEXAS	3 265	54.89
SN65HVD230DR		TEXAS INSTRUMENTS	7 417
SN65HVD230DR		МЕКСИКА
SN65HVD230DR		TEXASINSTRUMENTS
SN65HVD230DR		TOKMAS	2 996	53.41
SN65HVD230DR		4-7 НЕДЕЛЬ	147
SN74ACT244DW		TEXAS INSTRUMENTS	1	35.78
SN74ACT244DW			12
SN74ACT244DW		TEXAS INSTRUMENTS
SN74ACT244DW		TEXAS
SN74ACT244DW		TEXASINSTRUMENTS
SN74ACT244DW		4-7 НЕДЕЛЬ	476
XC6SLX45-2FGG484I		Xilinx Inc
XC6SLX45-2FGG484I		XILINX	39
XC6SLX45-2FGG484I		XILINX
XC6SLX45-2FGG484I
XC6SLX45-2FGG484I		4-7 НЕДЕЛЬ	668