Версия для печати
Технические характеристики IRFR3411PBF

Power - Max	130W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	71nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 16A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	20 856	76.32
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...		1 042	151.20
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	1
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	США
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	YOUTAI	5 343	15.57
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	324
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	194
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	25876
		BAT721A,215			NXP Semiconductors
		BAT721A,215			NXP
		BAT721A,215			NEX
		BAT721A,215
		BZX84-C4V7,215			NXP Semiconductors
		BZX84-C4V7,215			NXP
		BZX84-C4V7,215			NEX
		BZX84-C4V7,215
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	276	38.16
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON TECHNOLOGIES
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	260
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 668	22.86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	9 440	13.15
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	4 247	21.54
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	1 434	15.49

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"