Версия для печати
Технические характеристики B32529C3104J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MKT B32529
Емкость	0.1µF
Voltage - AC	160V
Voltage - DC	250V
Dielectric Material	Polyester, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Size / Dimension	0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm)
Высота	0.374" (9.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	General Purpose

Пленочный конденсатор радиальный 1000пФ, 200В DC, 400В AC, 10% B32529C3104J datasheet 824,78kB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	4 832	5.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 752	4.07
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		4 800	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	65 306	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.04
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		B32520C3104K					70.00
		B32520C3104K			EPCOS Inc
		B32520C3104K			EPCOS	936	20.18
		B32520C3104K			EPCS
		B32520C3104K			TDK EPCOS
		B32520C3104K			TDK
		B32529C3104J189			EPCOS Inc
		B32529C3104J189			EPCS
		B32529C3104J189			TDK EPCOS	120 000	17.56
		B32529C3104J189			EPCOS	748	9.00
		B32529C3104J189
		B32529C3104J189			TDK
		B32529C3104J189			TDK-EPC	6 009	5.47
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...		19 200	1.01
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIR
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	MOTOROLA
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	NXP	532	6.43
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	DC COMPONENTS	17 043	1.23
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	DIOTEC	5 297	1.14
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	MOTOROLA
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	NXP	4
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	OTHER
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ONS
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	Fairchild Semiconductor
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	ON Semiconductor
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	PHILIPS SEMIC
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIRCHILD
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 288	4.71
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KEC
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	FAIRCHILD
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	---
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KLS
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	KOME
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	SEMTECH
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	NXP/NEXPERIA
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	0.00
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	CHINA	68 800	1.22
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	LGE	2 620	2.03
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	OLITECH ELECTRONICS
		BC556B		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...	SUNTAN	5 910	1.93
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	MIC
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	MIRO
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	MIG
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	YJ
		KBPC3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V		Диодный мост 35A, 1000V	YS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"