|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
TDK EPCOS
|
64 800
|
17.56
|
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
EPCOS
|
2 402
|
15.10
|
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529C3104J |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
БРЕСТ
|
147
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
|
759
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY ME
|
3 556
|
1.45
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
EIC
|
1 044
|
1.85
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
HOTTECH
|
10 532
|
1.67
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KOME
|
3 404
|
1.15
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SUNTAN
|
7 491
|
1.13
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
RUME
|
20 000
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FAGOR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
ONS
|
1 293
|
14.67
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
DIODES
|
568
|
14.74
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
|
|
30.48
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DF04M |
|
Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)
|
HOTTECH
|
5 645
|
6.24
|
|
|
|
MF-0.25-110 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-110 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
152
|
2.80
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
177.66
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
|
|
65.76
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15032 |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-N 250В 8A
|
ISC
|
845
|
46.68
|
|