| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
11
|
32.00
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
400
|
10.15
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
|
|
5.28
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
YJ
|
15
|
9.00
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
170 748
|
2.88
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
TORIDAL
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
|
|
2.96
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
TORIDAL
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2
|
2.42
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
MIC
|
46 065
|
2.32
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
8 888
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ
|
104
|
6.20
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
3
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
516
|
25.90
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
74
|
36.46
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
40
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
399
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
72
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
97
|
14.30
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
122
|
|
|
|
|
|
|
ПРОКЛАДКА (СЛЮДА) 4040 ММ |
|
|
|
|
|
|