|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
|
38.32
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
HU-5КОМПЛЕКТ |
|
Розетка на кабель c контактами 2.54мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-150K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-150K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
412
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
34.02
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
|
2 862
|
2.39
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
LGE
|
4 800
|
3.10
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
WUXI XUYANG
|
4 592
|
3.69
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YJ
|
14 607
|
4.89
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNMATE
|
2 361
|
2.87
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
HOTTECH
|
4 800
|
4.96
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 775
|
8.60
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|