Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 5A, 3V |
Power - Max | 80W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
808
|
61.20
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
80.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SANYO
|
12
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PMC
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
|
32
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PHILIPS
|
44
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
ECAP 10/100V 0612 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 10/100V 0612 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В
|
|
|
10.00
|
|
|
|
ECAP 10/100V 0612 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 736
|
351.29
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
|
|
341.24
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
558
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
|
|
443.80
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON
|
47
|
1 595.82
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON
|
44
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
56
|
|
|