|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
30 824
|
1.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
280 892
|
1.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
113 173
|
2.92
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
229 554
|
1.29
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
267 645
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
44 069
|
1.03
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
325 607
|
2.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
104 000
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
8 800
|
1.56
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
14 461
|
1.09
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
74 361
|
1.88
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
44 781
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
112
|
1.91
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
31 796
|
1.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
16 237
|
1.38
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
129 324
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 244
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.84
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
811
|
1.38
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
335 117
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
418 687
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
41 644
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
256
|
1.16
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
808
|
61.20
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
80.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HI-SINCERITY
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
266
|
11.34
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
DIOTEC
|
280
|
1.63
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
|
2 083
|
1.86
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
BR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
CHINA
|
9 600
|
1.41
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HOTTECH
|
7 200
|
1.70
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
LGE
|
59 200
|
1.51
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
9 775
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
24 684
|
48.30
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
113.65
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|