| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
61 102
|
1.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
329 499
|
1.48
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
71 806
|
2.87
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
186 464
|
1.43
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
879
|
5.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
2 128
|
3.70
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
27
|
1.59
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
3 535
|
1.48
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 311
|
1.38
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
35 864
|
1.52
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
41 663
|
1.23
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
28 247
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
85
|
1.71
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEEN SIDE
|
365 522
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MERRYELC
|
212 786
|
1.61
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
82582
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
81682
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TRR
|
550 640
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
71682
|
8
|
1.06
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
24 398
|
1.64
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 237
|
2.03
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 439
|
1.34
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.74
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
76 472
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
247 458
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
168 117
|
1.78
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
239
|
1.13
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
58 036
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
80
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
81.20
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
80.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HI-SINCERITY
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
266
|
12.49
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
|
1 843
|
1.68
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
BR
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
CHINA
|
7 040
|
1.41
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
HOTTECH
|
7 200
|
1.50
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
LGE
|
59 200
|
1.41
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA42 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
351
|
1
|
1.60
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 710
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
19 411
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
696
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|