| Корпус | TO-220 |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 70W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SB673 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SB673 |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SB673 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
52.31
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
|
|
63.32
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
190
|
1
|
49.73
|
|
|
|
|
TIP107 |
|
Транзистор биполярный PNP Darl, 100V, 8A, 80W (Comp. TIP102)
|
680
|
1
|
13.19
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
|
TIP117 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
|
|
74.76
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
24 536
|
1.69
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 237
|
2.13
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 511
|
1.41
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.82
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
93 797
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
257 339
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
168 467
|
1.73
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
254
|
1.18
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
82 116
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
80
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
81.20
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
80.64
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
400
|
12.49
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
|
1 760
|
2.81
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
SEMTECH
|
574
|
2.26
|
|
|
|
MPSA92 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 300V, 0.5A, 625mW, 50MHz
|
CHINA
|
6 952
|
1.93
|
|
|
|
|
К73-16 63 В 15 МКФ |
|
|
|
|
|
|