Версия для печати
Технические характеристики IRF7907TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3224W-1-102E		Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)	BOURNS	4 095	116.16
		3224W-1-102E		Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)			460.12
		3224W-1-102E		Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)	Bourns Inc
		3224W-1-102E		Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)	BOURNS
		3224W-1-102E		Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)	0.00
		AD8009AR		Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения	ANALOG DEVICES	4	521.64
		AD8009AR		Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения		1 321	185.00
		AD8009AR		Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения	ANALOG DEVICES	96
		AD8009AR		Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения	Analog Devices Inc
		AD8009AR		Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения	4-7 НЕДЕЛЬ	187
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	62 915	4.72
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		RC0805FR-0720R5L			YAGEO	14 475	1.00  >1000 шт.   0.20
		RC0805FR-0720R5L			YAGEO	45
		RC0805FR-0720R5L
		TL074CPW			Texas Instruments
		TL074CPW			TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CPW			TEXAS	180	31.51
		TL074CPW
		TL074CPW			4-7 НЕДЕЛЬ	514

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"