Версия для печати
Технические характеристики APT1608CGCK

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Цвет	Green
Millicandela Rating	50mcd
Current - Test	20mA
Wavelength - Dominant	570nm
Wavelength - Peak	574nm
Voltage - Forward (Vf) Typ	2.1V
Lens Type	Clear
Lens Style/Size	Rectangle, 1.2mm x 0.8mm
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Size / Dimension	1.60mm L x 0.80mm W
Высота	0.75mm
Viewing Angle	120°
Тип монтажа	Поверхностный

APT1608CGCK datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Светодиоды

 » 

<75mA, стандартные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	NXP
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт			37.48
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS	4
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	ГЕРМАНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	13 360	7.03
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A		4	18.00
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MUR	76 822	3.54
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	85 564
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	Murata Electronics North America
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	ЯПОНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA*
		LM1117MP-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MP-3.3			NSC
		LM1117MP-3.3					64.40
		LM1117MP-3.3			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117MP-3.3			TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117MP-3.3			TEXAS
		LM1117MP-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	773
		LM1117MP-3.3			HGSEMI	1	21.55
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	41	14.46
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		23 616	2.66
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet			88.00
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	STMicroelectronics
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"